EPC2100ENGRT
Número do Produto do Fabricante:

EPC2100ENGRT

Product Overview

Fabricante:

EPC

DiGi Electronics Número da Peça:

EPC2100ENGRT-DG

Descrição:

GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die

Inventário:

RFQ Online
12795218
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EPC2100ENGRT Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
EPC
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
eGaN®
Status do produto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
Die
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Número do produto base
EPC210

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
EPC2100
Fichas Técnicas
EPC2100ENGRT
Folha de Dados HTML
EPC2100ENGRT-DG

Informação Adicional

Outros nomes
917-EPC2100ENGRDKR
917-EPC2100ENGRCT
917-EPC2100ENGRTR
Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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