AOTF42S60
Número do Produto do Fabricante:

AOTF42S60

Product Overview

Fabricante:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

AOTF42S60-DG

Descrição:

MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 39A 50W Through Hole TO-220F

Inventário:

13001069
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

AOTF42S60 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalagem
-
Série
aMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
39A
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2154 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
AOTF42

Informação Adicional

Outros nomes
785-AOTF42S60
Pacote padrão
1

Classificação Ambiental e de Exportação

REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
nexperia

GAN140-650FBEZ

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

nexperia

GAN080-650EBEZ

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

rohm-semi

SCT4045DRHRC15

750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

goford-semiconductor

G26P04K

P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2