Número do Produto do Fabricante:
GAN140-650FBEZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
GAN140-650FBEZ-DG
Descrição:
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 17A (Ta) 113W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN5060-5
Inventário:
2396 Pcs Novo Original Em Estoque
13001070
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
GAN140-650FBEZ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 5A, 6V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 17.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+7V, -1.4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
125 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
113W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN5060-5
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
GAN140
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
934665903332
1727-GAN140-650FBEZCT
1727-GAN140-650FBEZTR
1727-GAN140-650FBEZDKR
5202-GAN140-650FBEZTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
GAN080-650EBEZ
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
SCT4045DRHRC15
750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
G26P04K
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
