Número do Produto do Fabricante:
GAN080-650EBEZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
GAN080-650EBEZ-DG
Descrição:
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 29A (Ta) 240W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
Inventário:
2228 Pcs Novo Original Em Estoque
13001071
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GAN080-650EBEZ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
29A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 8A, 6V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 30.7mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+7V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
225 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
240W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN8080-8
Pacote / Estojo
8-VDFN Exposed Pad
Número do produto base
GAN080
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
934665901332
5202-GAN080-650EBEZTR
1727-GAN080-650EBEZDKR
1727-GAN080-650EBEZCT
1727-GAN080-650EBEZTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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