Número do Produto do Fabricante:
WAS530M12BM3
Product Overview
Fabricante:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
WAS530M12BM3-DG
Descrição:
SIC 2N-CH 1200V 630A
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 630A (Tc) Chassis Mount
Inventário:
12988031
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
WAS530M12BM3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Wolfspeed
Embalagem
Box
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
630A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.47mOhm @ 530A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
3.6V @ 127mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1362nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
38900pF @ 800V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Número do produto base
WAS530
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-3312-WAS530M12BM3
1697-WAS530M12BM3
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TSM300NB06LDCR RLG
MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
MSCSM70HM05AG
SIC 4N-CH 700V 349A
SSM6N813R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
