Número do Produto do Fabricante:
SSM6N813R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6N813R,LF-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 3.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventário:
8199 Pcs Novo Original Em Estoque
12988134
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ENVIAR
SSM6N813R,LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
242pF @ 15V
Potência - Máx.
1.5W (Ta)
Temperatura de operação
175°C
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-SMD, Flat Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP-F
Número do produto base
SSM6N813
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-SSM6N813R,LFDKR
264-SSM6N813R,LFCT
264-SSM6N813R,LFTR
264-SSM6N813RLFTR-DG
264-SSM6N813RLFTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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