SQJ488EP-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJ488EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ488EP-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

3878 Pcs Novo Original Em Estoque
13006422
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SQJ488EP-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
979 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ488

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Certificação DIGI
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