Número do Produto do Fabricante:
SIR124DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR124DP-T1-RE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
7530 Pcs Novo Original Em Estoque
13006513
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIR124DP-T1-RE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1666 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR124
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQP120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
SIHG47N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
