Número do Produto do Fabricante:
SIHB30N60AEL-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHB30N60AEL-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
8 Pcs Novo Original Em Estoque
13063090
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SIHB30N60AEL-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
EL
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2565 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SIHB30
Informação Adicional
Outros nomes
SIHB30N60AEL-GE3CT
SIHB30N60AEL-GE3TR
SIHB30N60AEL-GE3DKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB35N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STB35N60DM2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STB34NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STB34NM60N-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STB32N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1000
NÚMERO DA PEÇA
STB32N65M5-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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