Número do Produto do Fabricante:
SIHH120N60E-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHH120N60E-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventário:
13063202
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SIHH120N60E-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 8 x 8
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
SIHH120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SIHH120N60E-T1-GE3TR
SIHH120N60E-T1-GE3DKR
SIHH120N60E-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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