VP1008B
Número do Produto do Fabricante:

VP1008B

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

VP1008B-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 100V 790MA TO39
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 790mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39

Inventário:

12787743
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

VP1008B Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
790mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.25W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-39
Pacote / Estojo
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Número do produto base
VP1008

Informação Adicional

Pacote padrão
100

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIHB22N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

vishay-siliconix

SQV120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

vishay-siliconix

SIHP28N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

vishay-siliconix

SQM40061EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 100A TO263