Número do Produto do Fabricante:
SIHP28N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHP28N65E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
12787750
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SIHP28N65E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3405 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SIHP28
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCP125N60E
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
253
NÚMERO DA PEÇA
FCP125N60E-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STP34NM60ND
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
969
NÚMERO DA PEÇA
STP34NM60ND-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.81
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPP60R125CPXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4944
NÚMERO DA PEÇA
IPP60R125CPXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.00
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPP60R099P7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1904
NÚMERO DA PEÇA
IPP60R099P7XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.78
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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