SUP50020EL-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SUP50020EL-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SUP50020EL-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

395 Pcs Novo Original Em Estoque
12787549
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SUP50020EL-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Bulk
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11113 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SUP50020

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET N-CH 60V 110A TO263

vishay-siliconix

SISH108DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH

vishay-siliconix

SUM36N20-54P-E3

MOSFET N-CH 200V 36A TO263

vishay-siliconix

SUD50P10-43L-E3

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252