SUD50P10-43L-E3
Número do Produto do Fabricante:

SUD50P10-43L-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SUD50P10-43L-E3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventário:

9317 Pcs Novo Original Em Estoque
12787556
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SUD50P10-43L-E3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
37.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 9.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SUD50

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SUD50P1043LE3
SUD50P10-43L-E3-DG
SUD50P10-43L-E3TR
SUD50P10-43L-E3CT
SUD50P10-43L-E3DKR
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SQM200N04-1M8_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

vishay-siliconix

SIHU5N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251

vishay-siliconix

SIHF8N50L-E3

MOSFET N-CH 500V 8A TO220

vishay-siliconix

SIS776DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8