Número do Produto do Fabricante:
SUG90090E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SUG90090E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
12918255
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SUG90090E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
ThunderFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5220 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
395W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SUG90090
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SUG90090E-GE3DKRINACTIVE
SUG90090E-GE3CTINACTIVE
SUG90090E-GE3DKR
SUG90090E-GE3TR
742-SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3TR-DG
SUG90090E-GE3CT
SUG90090E-GE3CT-DG
SUG90090E-GE3DKR-DG
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFP4668PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8420
NÚMERO DA PEÇA
IRFP4668PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.38
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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