Número do Produto do Fabricante:
IRFP4668PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFP4668PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
8420 Pcs Novo Original Em Estoque
12804505
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IRFP4668PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 81A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
241 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10720 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IRFP4668
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
Q8238215
AUXSNFP4668-NDL
AUXSNFP4668
SP001572854
AUXSNFP4668-DG
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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