Número do Produto do Fabricante:
SQS481ENW-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQS481ENW-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 150 V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
10641 Pcs Novo Original Em Estoque
12918217
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SQS481ENW-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.095Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
385 pF @ 75 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SQS481
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQS481ENW-T1_GE3DKR
SQS481ENW-T1_GE3CT
SQS481ENW-T1_GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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