SI4632DY-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI4632DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI4632DY-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 40A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12918225
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SI4632DY-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.6V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11175 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4632

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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