SQM120N06-3M5L_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQM120N06-3M5L_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQM120N06-3M5L_GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventário:

693 Pcs Novo Original Em Estoque
12916787
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SQM120N06-3M5L_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SQM120

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQM120N06-3M5L_GE3-DG
SQM120N06-3M5L_GE3TR
SQM120N06-3M5L-GE3
SQM120N06-3M5L-GE3-DG
SQM120N06-3M5L_GE3CT
SQM120N06-3M5L_GE3DKR
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IRFS3206TRRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8293
NÚMERO DA PEÇA
IRFS3206TRRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.32
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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