SIR840DP-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIR840DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIR840DP-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

12916797
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIR840DP-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR840

Informação Adicional

Outros nomes
SIR840DPT1GE3
SIR840DP-T1-GE3TR
SIR840DP-T1-GE3CT
SIR840DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SI2303CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

vishay-siliconix

SQ1470AEH-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70

vishay-siliconix

SIHG039N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC

vishay-siliconix

SIR698DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8