Número do Produto do Fabricante:
SQM10250E_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQM10250E_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 65A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
15 Pcs Novo Original Em Estoque
12919293
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQM10250E_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4050 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SQM10250
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQM10250E_GE3TR
SQM10250E_GE3CT
SQM10250E_GE3DKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIR890DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIHP12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
SIHF22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
