Número do Produto do Fabricante:
SIR890DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR890DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12919296
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIR890DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.6V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2747 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR890
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIR890DP-T1-GE3DKR
SIR890DP-T1-GE3TR
SIR890DPT1GE3
SIR890DP-T1-GE3CT
2266-SIR890DP-T1-GE3
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHP12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
SIHF22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SI5468DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
