Número do Produto do Fabricante:
SQJA72EP-T1_BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJA72EP-T1_BE3-DG
Descrição:
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
13000380
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQJA72EP-T1_BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1390 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQJA72EP-T1_BE3CT
742-SQJA72EP-T1_BE3DKR
742-SQJA72EP-T1_BE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SQJA72EP-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2990
NÚMERO DA PEÇA
SQJA72EP-T1_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.52
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
G2012
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
SIHD14N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600V
IRFR9210PBF-BE3
P-CHANNEL 200V
