SIHD14N60ET1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIHD14N60ET1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIHD14N60ET1-GE3-DG

Descrição:

N-CHANNEL 600V
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventário:

1644 Pcs Novo Original Em Estoque
13000384
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SIHD14N60ET1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1205 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
147W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SIHD14N60ET1-GE3CT
742-SIHD14N60ET1-GE3TR
742-SIHD14N60ET1-GE3DKR
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SIHD14N60ET4-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2960
NÚMERO DA PEÇA
SIHD14N60ET4-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.85
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
SIHD14N60ET5-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2996
NÚMERO DA PEÇA
SIHD14N60ET5-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.85
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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