SQJA70EP-T1_BE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJA70EP-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJA70EP-T1_BE3-DG

Descrição:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 14.7A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

12986389
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQJA70EP-T1_BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
14.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
220 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
27W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQJA70EP-T1_BE3DKR
742-SQJA70EP-T1_BE3CT
742-SQJA70EP-T1_BE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
rohm-semi

R6530KNX3C16

MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB

nexperia

BUK9Y13-60ELX

SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM

diodes

DMP3056LSSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

onsemi

NVMFWS016N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL