Número do Produto do Fabricante:
R6530KNX3C16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6530KNX3C16-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 307W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
997 Pcs Novo Original Em Estoque
12986395
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R6530KNX3C16 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 960µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
307W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
R6530
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R6530KNX3C16
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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