Número do Produto do Fabricante:
SQJ418EP-T2_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ418EP-T2_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 48A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
13277351
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SQJ418EP-T2_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ418
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQJ418EP-T2_GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SQJ418EP-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9000
NÚMERO DA PEÇA
SQJ418EP-T1_BE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.39
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
SQJ418EP-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5607
NÚMERO DA PEÇA
SQJ418EP-T1_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.39
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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