Número do Produto do Fabricante:
SIHFU9220-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHFU9220-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Descrição Detalhada:
P-Channel 200 V 3.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventário:
2978 Pcs Novo Original Em Estoque
13277355
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SIHFU9220-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251AA
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
SIHFU9220
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHFU9220-GE3
742-SIHFU9220-GE3TR
742-SIHFU9220-GE3TR-ND
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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