SQJ202EP-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJ202EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ202EP-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Inventário:

2805 Pcs Novo Original Em Estoque
12915807
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SQJ202EP-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
975pF @ 6V
Potência - Máx.
27W, 48W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Número do produto base
SQJ202

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3CT-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR
742-SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3DKR-DG
742-SQJ202EP-T1_GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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