SQJQ960EL-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJQ960EL-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJQ960EL-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual

Inventário:

4236 Pcs Novo Original Em Estoque
12915843
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQJQ960EL-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950pF @ 25V
Potência - Máx.
71W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Número do produto base
SQJQ960

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQJQ960EL-T1_GE3TR
SQJQ960EL-T1_GE3CT
SQJQ960EL-T1_GE3DKR
SQJQ960EL-T1_GE3-DG
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SQ9945AEY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

vishay-siliconix

SIZ720DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR

vishay-siliconix

SI4910DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC

vishay-siliconix

SIA911DJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6