Número do Produto do Fabricante:
SQD50N10-8M9L_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQD50N10-8M9L_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
5984 Pcs Novo Original Em Estoque
12915892
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ENVIAR
SQD50N10-8M9L_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2950 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SQD50
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SQD50N10-8M9L_GE3TR
SQD50N10-8M9L_GE3DKR
SQD50N10-8M9L_GE3CT
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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