Número do Produto do Fabricante:
SI2367DS-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI2367DS-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
15904 Pcs Novo Original Em Estoque
12915894
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SI2367DS-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
561 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SI2367
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI2367DS-T1-GE3DKR
SI2367DST1GE3
SI2367DS-T1-GE3-DG
SI2367DS-T1-GE3TR
SI2367DS-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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