Número do Produto do Fabricante:
SQ4532AEY-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQ4532AEY-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
3323 Pcs Novo Original Em Estoque
12786868
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQ4532AEY-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Potência - Máx.
3.3W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
SQ4532
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQ4532AEY-T1_GE3CT
SQ4532AEY-T1_GE3-DG
SQ4532AEY-T1_GE3TR
SQ4532AEY-T1_GE3DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12