Número do Produto do Fabricante:
SISF00DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SISF00DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Inventário:
20549 Pcs Novo Original Em Estoque
12787103
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ENVIAR
SISF00DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700pF @ 15V
Potência - Máx.
69.4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Número do produto base
SISF00
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SISF00DN-T1-GE3CT
SISF00DN-T1-GE3DKR
SISF00DN-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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