Número do Produto do Fabricante:
SIZ710DT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIZ710DT-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Inventário:
16612 Pcs Novo Original Em Estoque
12916635
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIZ710DT-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820pF @ 10V
Potência - Máx.
27W, 48W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-PowerPair™
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-PowerPair™
Número do produto base
SIZ710
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIZ710DT-T1-GE3TR
SIZ710DT-T1-GE3DKR
SIZ710DTT1GE3
SIZ710DT-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SMMA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIA907EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V SMD
SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
