SIA907EDJ-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIA907EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA907EDJ-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V SMD
Descrição Detalhada:
Mosfet Array

Inventário:

12916654
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIA907EDJ-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
-
Configuração
-
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
-
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
-
Pacote / Estojo
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Número do produto base
SIA907

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SIA923EDJ-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6757
NÚMERO DA PEÇA
SIA923EDJ-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.18
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIA975DJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQJ980AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI4388DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

vishay-siliconix

SI7216DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212