Número do Produto do Fabricante:
SISS76LDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SISS76LDN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventário:
12945157
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ENVIAR
SISS76LDN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
70 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.25mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.6V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2780 pF @ 35 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8SH
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8SH
Número do produto base
SISS76
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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