Número do Produto do Fabricante:
SQ2318BES-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQ2318BES-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
3123 Pcs Novo Original Em Estoque
12945160
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SQ2318BES-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.3mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SQ2318
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQ2318BES-T1_GE3DKR
742-SQ2318BES-T1_GE3TR
742-SQ2318BES-T1_GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SQ2318AES-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
30231
NÚMERO DA PEÇA
SQ2318AES-T1_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.16
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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