Número do Produto do Fabricante:
SQJQ900E-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJQ900E-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 40V 100A (Tc) 75W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Inventário:
12787215
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SQJQ900E-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5900pF @ 20V
Potência - Máx.
75W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Número do produto base
SQJQ900
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SQJQ900E-T1_GE3DKR
SQJQ900E-T1_GE3TR
SQJQ900E-T1_GE3CT
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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