Número do Produto do Fabricante:
SIS698DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIS698DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 6.9A PPAK1212-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 6.9A (Tc) 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
12786633
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SIS698DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
210 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
19.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SIS698
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RQ7E110AJTCR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1294
NÚMERO DA PEÇA
RQ7E110AJTCR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.33
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
RQ3L050GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14048
NÚMERO DA PEÇA
RQ3L050GNTB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.24
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
RQ3G150GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5884
NÚMERO DA PEÇA
RQ3G150GNTB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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