RQ7E110AJTCR
Número do Produto do Fabricante:

RQ7E110AJTCR

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RQ7E110AJTCR-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8

Inventário:

1294 Pcs Novo Original Em Estoque
13525786
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RQ7E110AJTCR Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 4.5A, 11V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2410 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSMT8
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
RQ7E110

Folha de Dados & Documentos

Informação Adicional

Outros nomes
RQ7E110AJTCRCT
RQ7E110AJTCRDKR
RQ7E110AJTCRTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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