Número do Produto do Fabricante:
SIRA18DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIRA18DP-T1-RE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12966431
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
6bqV
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIRA18DP-T1-RE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
14.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIRA18
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI8424DB-T1-E1
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
PJA3432-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
MSJW20N65-BP
MOSFET N-CH TO247
