Número do Produto do Fabricante:
SI8424DB-T1-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8424DB-T1-E1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Descrição Detalhada:
N-Channel 8 V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventário:
12966437
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI8424DB-T1-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
8 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 4 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Pacote / Estojo
4-XFBGA, CSPBGA
Número do produto base
SI8424
Informação Adicional
Outros nomes
SI8424DB-T1-E1CT
SI8424DBT1E1
SI8424DB-T1-E1DKR
SI8424DB-T1-E1TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI8424CDB-T1-E1
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2000
NÚMERO DA PEÇA
SI8424CDB-T1-E1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.16
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
PJA3432-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
MSJW20N65-BP
MOSFET N-CH TO247
SIR874DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
