Número do Produto do Fabricante:
SIHW21N80AE-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHW21N80AE-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventário:
12917391
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHW21N80AE-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1388 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AD
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SIHW21
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2266-SIHW21N80AE-GE3
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHG21N80AE-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
495
NÚMERO DA PEÇA
SIHG21N80AE-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.08
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHG20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
SUD50N06-08H-E3
MOSFET N-CH 60V 93A TO252
SIHG018N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
