SIA811ADJ-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIA811ADJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA811ADJ-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventário:

2765 Pcs Novo Original Em Estoque
12917397
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SIA811ADJ-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
116mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
345 pF @ 10 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número do produto base
SIA811

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SIA811ADJ-T1-GE3DKR
SIA811ADJ-T1-GE3-DG
SIA811ADJ-T1-GE3TR
SIA811ADJ-T1-GE3CT
SIA811ADJT1GE3
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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