Número do Produto do Fabricante:
SIHU7N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHU7N60E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventário:
2996 Pcs Novo Original Em Estoque
12965973
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SIHU7N60E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251AA
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
SIHU7
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIHU7N60EGE3
SIHU7N60E-GE3-DG
742-SIHU7N60E-GE3
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STU10N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
59
NÚMERO DA PEÇA
STU10N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.24
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STU10NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2990
NÚMERO DA PEÇA
STU10NM60N-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.26
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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