SIRA14BDP-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIRA14BDP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIRA14BDP-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 64A (Tc) 3.7W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

6532 Pcs Novo Original Em Estoque
12965983
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SIRA14BDP-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Ta), 64A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.38mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
917 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIRA14

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SIRA14BDP-T1-GE3TR
SIRA14BDP-T1-GE3CT
SIRA14BDP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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