Número do Produto do Fabricante:
SIHU6N62E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHU6N62E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 620 V 6A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12786100
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SIHU6N62E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
620 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
578 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK (TO-251)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
SIHU6
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SIHU6N62E-GE3DKR
SIHU6N62E-GE3DKRINACTIVE
SIHU6N62E-GE3CT-DG
SIHU6N62E-GE3TR
SIHU6N62E-GE3CT
SIHU6N62E-GE3TRINACTIVE
SIHU6N62E-GE3TR-DG
SIHU6N62E-GE3DKR-DG
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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