SQM50028EM_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQM50028EM_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQM50028EM_GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventário:

671 Pcs Novo Original Em Estoque
12786119
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQM50028EM_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
SQM50028

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
SQM50028EM_GE3DKR
SQM50028EM_GE3TR
SQM50028EM_GE3CT
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SQM200N04-1M7L_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

vishay-siliconix

SISA10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SUD45P03-10-E3

MOSFET P-CH 30V TO252

vishay-siliconix

SIE726DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK