Número do Produto do Fabricante:
SIHP22N60EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHP22N60EF-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventário:
12919854
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Mínimo 1
Mínimo 1
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SIHP22N60EF-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
EF
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1423 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220 Full Pack
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
SIHP22
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SPP24N60C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
129
NÚMERO DA PEÇA
SPP24N60C3XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.95
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FCP22N60N
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
157
NÚMERO DA PEÇA
FCP22N60N-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.01
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FCP150N65F
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
FCP150N65F-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.31
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SPP20N60S5XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3452
NÚMERO DA PEÇA
SPP20N60S5XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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